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相變導熱材料

  • 相變導熱材料主要用于微處理器,通信及無線電頻率元件,電源半導體及智能電源模塊,IGBT,轉換器等。Loctite® Powerstrate® Xtreme™相變導熱材料易于操作,無需對散熱器或元器件加熱,也有優秀的熱性能保證。即使貼裝壓力較低,也有出色的熱阻抗性;對不平整表面最大有效間隙達到0.2mm(0.08英寸。散熱器經過熱循環後,無需加熱或使用工具就可除去。實驗證明,重複安裝25次以上,熱性能也不會有任何損失。Loctite 樂泰膠 相變導熱材料有關相變導熱材料城各種工藝的具體應用,請咨詢當地的辦事處尋求技術支持。
    相變導熱材料特性:
    ·100% 表面潤濕,能夠消除界面電阻;相變導熱材料特性:
    ·15% 的體積膨脹,能夠積極排除任何存在于界面中夾帶的空氣相變導熱材料特性:
    ·能夠保證覆膜厚度,保持穩定一致的熱性能。相變導熱材料特性:
    ·對基板的預成型特性,加快組裝速度並節約成本。相變導熱材料特性:

  • 電絕緣産品
    産品型號 描述應用 熱阻抗
    [℃-in.2/W]
    @80PSI
    熱阻抗
    [℃-cm.2/W]
    @550KPa
    導熱性
    [W/mk]
    相變溫度[℃] 基板厚度
    in./mm
    總體厚度
    in./mm
    基板材料 絕緣額定值
    VAC/mil
    UL黃卡
    Isostrate
    2000
    廣泛用于非絕緣元器件 0.12 0.78 0.45 60 0.001-0.005 0.0025-0.076 0.002-0.006 0.051-0.153 聚酰亞胺 >5000 E1049 33
    Isostrate J-系列 用于對高導熱性沒有要求的,大批量生産的非絕緣元器件 0.48 3.12 0.155 60 0.002 0.051 0.003 0.076 聚乙烯 >5000 E1049 32
    MCM-strate 背膠類,將貼片放在組裝線上 0.25 1.325 0.4 60 0.001-0.003 0.025-0.076 0.0025-0.0045 0.064-0.114 聚酰亞胺 >500 E1049 35
    EMI-strate 獨一無二的將散熱和EMI(電磁波屏蔽)管理組合在一起,以輻射電磁波屏蔽控制有出色的選擇性 0.4 2.6 0.69 60 - 0.007-0.015 0.178-0.381 聚酰亞胺 N/A N/A

  • 相變導熱材料
    産品型號 描述/應用 熱阻抗
    [℃-in.2/W]
    @80PSI
    熱阻抗
    [℃-cm.2/W]
    @550KPa
    導熱性
    [W/mk]
    相變溫度
    [℃]
    基板厚度
    in./mm
    總體厚度
    in./mm
    基板材料
    Powerstrate
    Xtreme
    較低壓力下也有非常低的熱阻抗性,有效間隙達0.2mm(0.08")形成很薄的界面,無需加熱,可直接粘貼.用于半導體和電源模塊類 0.003 0.022 3.3 45 N/A 0.008 0.2 _
    Powerstrate
    51R
    低阻抗,可返修級,多用于散熱片,返修前需被除去 0.008 0.052 3 51 0.002-0.051 0.0029-0.0033 0.074-0.083 AL1145-0
    Thermstrate
    51,60
    低阻抗加強型,用于在部分的裸芯片處理器及其它電子元件的散熱 0.008 0.052 3 51或60 0.002-0.051 0.0025-0.0063 0.064-0.16 AL1145-0
    Powerstrate
    2000
    良好的熱性能,特別是在較高壓力下,在多數用在IGBTs半導體,DC-DC轉換器及其它絕緣封裝 0.022 0.143 3 60 0.002-0.005 0.051-0.128 0.003-0.0075 0.076-0.191 AL1145-0
    Silverstrate 出色的熱性能,特別是在較高壓力下,主要用在有導點要求的無線電頻率裝置及硅控整流器 0.003 0.022 3.1 51 0.002-0.051 0.004-0.005 0.102-0.127 AL1145-0
    Thermstrate
    TC
    應用棒,理想的影印,返修及小批量生産 0.021 0.137 0.5 60 N/A N/A _

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